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N-Channel MOSFET

產(chǎn)品描述

SFI50N03AT 采用穩先微電子先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造,低導通電阻,高雪崩擊穿耐量,可廣泛應用于電工工具,鋰電保護,PD快充和直流無(wú)刷電機等應用。

主要特點(diǎn)


30V, 50A

RDS(ON) = 4.7mΩ (Max.) @ VGS = 10V

RDS(ON) = 10mΩ (Max.) @ VGS = 4.5V 

低導通電阻

低柵電荷

快速切換



規格書(shū)

      文檔名稱(chēng)文檔描述            下載
SFI50N03AT_EN_A2472KB

SFI50N03AT_EN_A2.pdf


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